| GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法 | |
| 付晓君; 徐静波; 黎明; 张海英 | |
| 2008-06-25 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN101615708 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方 法。该单片集成微波开关由基于全耗尽型的GaAs PHEMT单刀双掷开关 和基于DCFL的反相器构成，该单刀双掷开关和反相器单片集成，单刀双 掷开关的控制信号端与反相器的输入端和输出端连接，且该单片集成微波 开关采用0V和-3V分别作为高低电平，反相器的VDD直流端接0V，原 接地端接-3V。本发明成功的将全耗尽型微波开关与反相器集成于同一芯 片内，实现了逻辑电路与开关电路的集成，整个电路只需要1位控制信号， 有效的减少了开关电路的控制端口数目，节省了芯片面积，为将来采用 E/D HEMT技术实现更大规模、更复杂电路集成奠定了良好基础。 |
| 公开日期 | 2009-12-30 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7524]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付晓君,徐静波,黎明,等. GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法. CN101615708. 2008-06-25. |
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