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| 一种有效提高阻变存储器耐久性的方法 专利 专利号: CN201410643264.9, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2015-03-25 作者: 龙世兵 ; 王国明; 张美芸; 李阳 ; 许定林
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| Correlation analysis between the current fluctuation characteristics and the conductivefilament morphology of HfO2-based memristor 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017 作者: Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵) ; Liu M(刘明)![](/image/person.jpg)
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| 对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法 专利 专利号: CN201410377423.5, 申请日期: 2017-10-17, 公开日期: 2014-11-05 作者: 王国明; 龙世兵 ; 张美芸; 李阳 ; 许晓欣![](/image/person.jpg)
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| Investigation on the Conductive Filament Growth Dynamics in Resistive Switching Memory via a Universal Monte Carlo Simulator 期刊论文 SCIeNTIfIC REporTS, 2017 作者: Li Y(李昱); Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵) ; Liu Q(刘琦) ; Lv HB(吕杭炳)![](/image/person.jpg)
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| Anisotropic Magnetoresistance of Nanoconductive Filament in Co/HfO2/Pt Resistive Switching Memory 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017 作者: Liu Q(刘琦) ; Liu M(刘明) ; Lv HB(吕杭炳) ; Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵)![](/image/person.jpg)
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| A cell-based clustering model for the reset statistics in RRAM 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017 作者: Sun H(孙浩); Zhang MY(张美芸); Li Y(李昱); Long SB(龙世兵) ; Liu Q(刘琦)![](/image/person.jpg)
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| 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 专利 专利号: CN201310491719.5, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2014-01-22 作者: 龙世兵 ; 王国明; 张美芸; 李阳 ; 王明
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| 一种降低阻变存储器电铸电压的方法 专利 专利号: CN201410222652.X, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2014-07-30 作者: 吕杭炳 ; 刘琦 ; 刘明 ; 刘红涛; 龙世兵![](/image/person.jpg)
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| 一种制备纳米器件的方法 专利 专利号: CN201310491769.3, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-01-08 作者: 龙世兵 ; 张美芸; 王国明; 李阳 ; 王明
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| Boron nitride as two dimensional dielectric: Reliability and dielectric breakdown 期刊论文 Applied Physics Letters, 2016 作者: Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵)
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