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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparative Investigation of Flat-Band Voltage Modulation by Nitrogen Plasma Treatment for Advanced HKMG Technology 期刊论文 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018 作者:  Zhang QZ(张青竹);  Yao JX(姚佳欣);  Yin HX(殷华湘);  Wu ZH(吴振华);  Gao JF(高建峰) 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/05/05 Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si0.45Ge0.55, Ge Gate-All-Around NSFET for 5 nm Technology Node 期刊论文 Journal of the Electron Devices Society, 2018 作者:  Gu J(顾杰);  Wen Yang;  Wu ZH(吴振华);  Yin HX(殷华湘);  Wang WW(王文武) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/05 Improvement of Operation Characteristics for MONOS Charge Trapping Flash Memory with SiGe Buried Channel 期刊论文 Chinese Physics letters, 2018 作者:  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Hou CZ(侯朝昭);  Yao JX(姚佳欣);  Zhang QZ(张青竹) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/20 Fabrication and Characterization of p-Channel Charge Trapping Type FOI-FinFET Memory with MAHAS Structure 期刊论文 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017 作者:  Gu J(顾杰);  Hou CZ(侯朝昭);  Zhang QZ(张青竹);  Yin HX(殷华湘);  Xiang JJ(项金娟) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/05 Improved Operation Characteristics for Nonvolatile Charge-Trapping Memory Capacitors with High-Dielectrics and SiGe Epitaxial Substrates 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017 作者:  Zhang QZ(张青竹);  Wu ZH(吴振华);  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Hou CZ(侯朝昭) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/05