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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种维持电压可调节的可控硅结构 专利 专利号: CN201110332265.8, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2012-01-25 作者:  曾传滨;  李多力;  毕津顺;  韩郑生;  罗家俊 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/04/07 静电放电保护用可控硅结构 专利 专利号: CN201120417128.X, 申请日期: 2012-08-15, 作者:  韩郑生;  罗家俊;  李多力;  毕津顺;  曾传滨 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/04/07 一种ESD防护电阻 专利 专利号: CN201120565124.6, 申请日期: 2012-08-08, 作者:  李晶;  罗家俊;  韩郑生;  李多力;  曾传滨 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/04/07 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 专利 专利号: CN200710064870.5, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2008-10-01 作者:  海潮和;  曾传滨;  李多力;  李晶;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构 专利 专利号: CN200810104231.1, 申请日期: 2012-01-18, 公开日期: 2009-10-21 作者:  曾传滨;  李晶;  海潮和;  李多力;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法 专利 专利号: CN200810104225.6, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2009-10-21 作者:  李晶;  韩郑生;  李多力;  海潮和;  曾传滨 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构 专利 专利号: CN200810104230.7, 申请日期: 2010-09-08, 公开日期: 2009-10-21 作者:  曾传滨;  海潮和;  李晶;  李多力;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/26 采用容性封装技术提高ESD防护性能研究 期刊论文 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 5，876-880 作者:  海潮和;  李多力;  韩郑生;  曾传滨;  李晶 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/06/01 静电放电  电容  封装  传输线脉冲发生器  钳位电路  集成电路  Ir   栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究 期刊论文 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: 5，1135-1139 作者:  曾传滨;  韩郑生;  李多力;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/06/01 金属氧化物半导体  绝缘体上硅  闩锁  敏感区  栅极触发  临界下降沿   PDSOINMOS／CMOS闩锁特性 期刊论文 功能材料与器件学报, 2009, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 6，429-434 作者:  海潮和;  李晶;  李多力;  韩郑生;  曾传滨 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/06/01 绝缘体上的硅  闩锁  金属氧化物半导体