一种ESD防护电阻

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	一种ESD防护电阻
	李晶; 罗家俊; 韩郑生; 李多力; 曾传滨; 海潮和
	2012-08-08
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201120565124.6
国家	中国
文献子类	实用新型
英文摘要	本实用新型公开了一种ESD防护电阻，属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔离层提供的电学隔离和热学隔离，使得当通过电阻的ESD电流越大时，电阻越大，电阻承载的电压降越大，限流能力也越好。
申请日期	2011-12-29
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14685]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李晶,罗家俊,韩郑生,等. 一种ESD防护电阻. CN201120565124.6. 2012-08-08.