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| Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2018
作者: Wang WW(王文武) ; Zheng YK(郑英奎); Jiang HJ(蒋浩杰); Wei K(魏珂); Wang XH(王鑫华)
  收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者: Zheng YK(郑英奎); Liu GG(刘果果); Chen XJ(陈晓娟); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018
作者: Shi JY(史敬元); Fan J(樊捷); Kang XW(康玄武); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森)
收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| 基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究 期刊论文
半导体技术, 2017
作者: 魏珂; 陈诗哲; 刘新宇; 王泽卫; 张宗敬
收藏 | 浏览/下载：38/0 | 提交时间：2018/05/16 |
| GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法 专利
专利号: CN201410005400.1, 申请日期: 2017-03-22, 公开日期: 2014-04-16
作者: 郑英奎; 赵妙; 欧阳思华; 李艳奎; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2018/02/07 |
| 一种监控凹栅槽刻蚀的新方法 专利
专利号: CN201410046236.9, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2014-04-23
作者: 郑英奎; 袁婷婷; 魏珂; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 一种射频微波放大器的设计及优化方法 专利
专利号: CN201210236066.1, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2012-10-17
作者: 戈勤; 刘新宇; 彭铭曾; 郑英奎
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法 专利
专利号: CN201410005195.9, 申请日期: 2016-06-01, 公开日期: 2014-04-09
作者: 欧阳思华; 赵妙; 刘新宇; 魏珂; 孔欣
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation 期刊论文
Chinese Physics B, 2015
作者: Ma XH(马晓华); Zheng YK(郑英奎); Pang L(庞磊); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2016/10/28 |
| 确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法 专利
专利号: CN201110163890.4, 申请日期: 2015-06-10, 公开日期: 2012-12-19
作者: 刘新宇; 郑英奎; 欧阳思华; 李艳奎; 赵妙
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2016/09/12 |
