基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究

	基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究
	魏珂; 陈诗哲; 刘新宇; 王泽卫; 张宗敬; 肖洋; 郑英奎; 张一川
刊名	半导体技术
	2017-07-03
文献子类	期刊论文
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18019]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	魏珂,陈诗哲,刘新宇,等. 基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究[J]. 半导体技术,2017.
APA	魏珂.,陈诗哲.,刘新宇.,王泽卫.,张宗敬.,...&张一川.(2017).基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究.半导体技术.
MLA	魏珂,et al."基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究".半导体技术 (2017).