一种监控凹栅槽刻蚀的新方法

	一种监控凹栅槽刻蚀的新方法
	郑英奎; 袁婷婷; 魏珂; 刘新宇
	2016-08-24
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410046236.9
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种监控AlGaN/GaN?HEMT凹栅槽刻蚀的方法，其中AlGaN/GaN?HEMT凹栅槽刻蚀包括Si3N4钝化层刻蚀以及AlGaN/GaN层刻蚀，该监控方法是分别在刻蚀Si3N4钝化层以及AlGaN/GaN层后对一个用于监控凹栅槽刻蚀程度的测试管芯进行I-V测试，观察该测试管芯的电流变化情况，并依据该电流变化情况判断凹栅槽刻蚀状况。利用本发明，有效监控凹栅槽刻蚀程度，并且辅助寻找出较为合适的凹栅槽刻蚀条件，保证了器件直流特性、小信号特性以及功率特性。
公开日期	2014-04-23
申请日期	2014-02-10
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16420]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郑英奎,袁婷婷,魏珂,等. 一种监控凹栅槽刻蚀的新方法. CN201410046236.9. 2016-08-24.