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兰州大学 [33]
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期刊论文 [31]
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文化自信与中国梦的内在关系探析
期刊论文
中共云南省委党校学报, 2014, 期号: 6, 页码: 37-40
作者:
刘先春
;
张思源
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提交时间:2016/07/19
中国梦
文化自信
内在动力
槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: 1, 页码: 65-67
作者:
杨涛
;
刘肃
;
李思渊
;
王永顺
;
李海蓉
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶体管
V形槽
等离子体增强化学气相淀积
肖特基势垒
一种新型结构的静电感应晶体管
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 918-922
作者:
唐莹
;
刘肃
;
李思渊
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶体管
深槽结构
寄生效应
深槽腐蚀
Deep groove structure
Parasitic effect
Static induction transistor (SIT)
静电感应晶闸管的负阻转折特性
期刊论文
电子器件, 2007, 期号: 1, 页码: 54-56
作者:
唐莹
;
刘肃
;
李思渊
;
胡冬青
;
常鹏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/04/27
SITH
负阻转折特性
少子寿命
大注入
Space Charges Effect of Static Induction Transistor
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 423-428
作者:
Chen JH(陈金伙)
;
Liu S(刘肃)
;
Wang YS(王永顺)
;
Li SY(李思渊)
;
Zhang FJ(张福甲)
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/28
静电感应晶体管
空间电荷效应
空间电荷势垒
沟道势垒
SCLC
CVBC
Channel barrier
Channel voltage barrier control (CVBC)
I-V equation
Space charge effect (SCE)
Space charge limited control (SCLC)
Space charge potential barrier
Static induction transistor (SIT)
Electrical Performance of Static Induction Transistor with Mixed I-V Characteristics
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 266-271
作者:
Wang YS(王永顺)
;
Liu S(刘肃)
;
Li SY(李思渊)
;
Hu DQ(胡冬青)
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶体管
夹断
混合特性
饱和
Mixed characteristics
Static induction transistor
静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟
期刊论文
半导体技术, 2002, 期号: 9, 页码: 68-71
作者:
薛伟东
;
李思渊
;
刘英坤
;
刘英坤
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
静电感应晶闸管
负阻转折
仿真模拟
碳化硅材料在微电子机械系统中的应用
期刊论文
微纳电子技术, 2002, 期号: 8, 页码: 26-30
作者:
刘肃
;
唐莹
;
李思渊
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
碳化硅
微电子机械系统
微结构
低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs(英文)
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 975-978
作者:
刘英坤
;
梁春广
;
邓建国
;
张颖秋
;
郎秀兰
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/04/27
低压
梯形栅结构
钼栅工艺
甚高频功率VDMOSFET
Molybdenum gate technology
Terraced gate structure
一种抗辐射加固功率器件──VDMNOSFET(英文)
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 841-845
作者:
刘英坤
;
梁春广
;
王长河
;
李思渊
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
抗辐射加固
双层栅介质
功率VDMNOSFET
Double layer gate dielectric
Radiation hardening
Semiconductor field effect transistors VDMNOSFET
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