槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管

	槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
	杨涛; 刘肃; 李思渊; 王永顺; 李海蓉
刊名	半导体技术
	2008-01-03
期号	1 页码:65-67
关键词	静电感应晶体管 V形槽等离子体增强化学气相淀积肖特基势垒
其他题名	槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
中文摘要	传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性。使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题。给出了详细的工艺流程。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102697]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杨涛,刘肃,李思渊,等. 槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管[J]. 半导体技术,2008(1):65-67.
APA	杨涛,刘肃,李思渊,王永顺,&李海蓉.(2008).槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管.半导体技术(1),65-67.
MLA	杨涛,et al."槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管".半导体技术 .1(2008):65-67.