低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs（英文）

	低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs（英文）
	刘英坤; 梁春广; 邓建国; 张颖秋; 郎秀兰; 李思渊
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	2001-08-08
卷号	22 期号:8 页码:975-978
关键词	低压梯形栅结构钼栅工艺甚高频功率VDMOSFET Molybdenum gate technology Terraced gate structure
ISSN号	02534177
其他题名	High performance VHF power VDMOSFETs for low voltage applications
通讯作者	Liu, Y.-K.
中文摘要	采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺 ,研制出了高性能 ,低电压工作 ,适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管 .该器件在 175 MHz、 12 V低电压工作条件下 ,输出功率为 12 W,漏极效率为 70 % ,功率增益为 12 d B
学科主题	543.3 Molybdenum and Alloys;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;716.1 Information Theory and Signal Processing;731.1 Control Systems
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102304]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘英坤,梁春广,邓建国,等. 低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs（英文）[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(8):975-978.
APA	刘英坤,梁春广,邓建国,张颖秋,郎秀兰,&李思渊.(2001).低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs（英文）.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,22(8),975-978.
MLA	刘英坤,et al."低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs（英文）".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 22.8(2001):975-978.