低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs(英文) | |
刘英坤; 梁春广; 邓建国; 张颖秋; 郎秀兰; 李思渊 | |
刊名 | 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
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2001-08-08 | |
卷号 | 22期号:8页码:975-978 |
关键词 | 低压 梯形栅结构 钼栅工艺 甚高频功率VDMOSFET Molybdenum gate technology Terraced gate structure |
ISSN号 | 02534177 |
其他题名 | High performance VHF power VDMOSFETs for low voltage applications |
通讯作者 | Liu, Y.-K. |
中文摘要 | 采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺 ,研制出了高性能 ,低电压工作 ,适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管 .该器件在 175 MHz、 12 V低电压工作条件下 ,输出功率为 12 W,漏极效率为 70 % ,功率增益为 12 d B |
学科主题 | 543.3 Molybdenum and Alloys;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;716.1 Information Theory and Signal Processing;731.1 Control Systems |
语种 | 英语 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102304] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘英坤,梁春广,邓建国,等. 低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs(英文)[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(8):975-978. |
APA | 刘英坤,梁春广,邓建国,张颖秋,郎秀兰,&李思渊.(2001).低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs(英文).半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,22(8),975-978. |
MLA | 刘英坤,et al."低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs(英文)".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 22.8(2001):975-978. |
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