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| 区域经济发展规划实施法律问题研究——以《关中-天水经济区发展规划》为例 期刊论文 中国矿业大学学报(社会科学版), 2014, 期号: 2, 页码: 29-35 作者: 刘光华; 南浩元
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| “驻京办”、“跑部钱进”与财政分配体制的完善 期刊论文 甘肃社会科学, 2011, 期号: 6, 页码: 119-123 作者: 刘光华; 郝宽国
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| 氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究 会议论文 第六届中国功能材料及其应用学术会议 作者: 张晓康; 邓金祥; 王瑶; 陈光华; 郝伟
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| 氮气含量对沉积BN薄膜的影响 会议论文 第十六届全国半导体物理学术会议 作者: 王瑶; 邓金祥; 张晓康; 陈光华; 郝伟
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| Deposition and ion implantation of boron nitride film 期刊论文 Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 卷号: 27, 期号: SUPPL., 页码: 127-130 作者: Deng, Jinxiang; Chen, Hao; Liu, Junkai; Tian, Ling; Zhang, Yan
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| Growth of c-BN films and growth reproducibility 期刊论文 Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Journal of Vacuum Science and Technology, 2006, 卷号: 26, 期号: SUPPL., 页码: 57-60 作者: Liu, Junkai; Deng, Jinxiang; Chen, Hao; Tian, Ling; Chen, Guanghua
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| c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究(2006) 会议论文 全国薄膜技术学术研讨会 作者: 刘钧锴; 邓金祥; 陈浩; 田凌; 陈光华
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| n-BN/p-Si薄膜异质结的Ⅰ-Ⅴ特性 会议论文 全国薄膜技术学术研讨会 作者: 陈浩; 邓金祥; 陈光华; 刘钧锴; 田凌
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| 衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2369-2373 作者: 陈浩; 邓金祥; 陈光华; 刘钧锴; 田凌
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| n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性研究 会议论文 TFC'05全国薄膜技术学术研讨会 作者: 陈浩; 邓金祥; 刘钧锴; 田凌; 陈光华
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