c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究(2006)

	c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究(2006)
	刘钧锴; 邓金祥; 陈浩; 田凌; 陈光华
	2006-09-01
会议名称	全国薄膜技术学术研讨会
关键词	立方氮化硼可重复性生长过程射频溅射
页码	4
中文摘要	用常规射频(RF)溅射系统,采用三步法在p型Si(111)上高重复率地制备出高品质的立方氮化硼(c-BN)薄膜。通过对c-BN薄膜生长过程的分析,找出了传统两步法制备高品质的c-BN薄膜重复率不高的原因。在两步法之前增加了使湍流层结构氮化硼(t-BN)转化为斜方六面体结构的氮化硼(r-BN)的步骤,即将形核过程分也为两步,使重复率显著提高。傅立叶变换红外吸收光谱的结果表明:当第一步偏压为180 V,时间为5 min时,得到了立方相含量为85％的c-BN薄膜。
会议录	全国薄膜技术学术研讨会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/108003]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘钧锴,邓金祥,陈浩,等. c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究(2006)[C]. 见:全国薄膜技术学术研讨会.