n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性研究

	n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性研究
	陈浩; 邓金祥; 刘钧锴; 田凌; 陈光华
	2005-09-01
会议名称	TFC'05全国薄膜技术学术研讨会
关键词	I-V 氮化硼异质结表面电阻率绝缘膜电致发光器件热膨胀系数层状结构稳定相热沉材料
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中文摘要	氮化硼(BN)薄膜是有着广泛应用前景的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜,它主要有两个稳定相,即立方氮化硼(c-BN)和六角氮化硼(h-BN)。其中,h-BN有着类似于石墨的层状结构,质地比较软,可以用作润滑剂:另外,h-BN有着很高的电阻率,绝缘性好,加上其物理和化学的稳定性,可以用作许多电子器件的绝缘膜; 此外,h-BN在X光及可见光区域透明,还可以作为透明绝缘层用于电致发光器件。而对于c-BN薄膜,它是一种理想的新型宽带隙(Eg≈6.6eV)半导体薄膜材料,具有高的电阻率、高的热稳定性和高的热导率以及与Si、GaAs接近的热膨胀系数,使之可以成为很好的热沉材料。无论是h-BN还是c-BN薄膜都可以...
会议录	TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107826]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈浩,邓金祥,刘钧锴,等. n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性研究[C]. 见:TFC'05全国薄膜技术学术研讨会.