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一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法
专利
作者:
牟笑静/窦韶旭/齐梦珂[1]
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提交时间:2019/11/29
一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法
专利
作者:
牟笑静[1]
;
窦韶旭[1]
;
齐梦珂[1]
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提交时间:2019/11/29
一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片
专利
作者:
牟笑静/窦韶旭/齐梦珂[1]
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一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法
专利
作者:
牟笑静/窦韶旭/齐梦珂[1]
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提交时间:2019/11/29
基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片
专利
作者:
牟笑静/窦韶旭/齐梦珂[1]
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提交时间:2019/11/29
一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法
专利
作者:
牟笑静[1]
;
窦韶旭[1]
;
齐梦珂[1]
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提交时间:2019/11/29
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