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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Studies of Ti- and Ni-germanide Schottky contacts on n-Ge(100) substrates 期刊论文 微电子工程, 2005 Han, DD; Wang, Y; Tian, DY; Wang, W; Liu, XY; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 Ni-germanide  Schottky contacts  Ge  HIGH-KAPPA GATE  METAL-GATE  BARRIER  SOURCE/DRAIN  TRANSISTORS  MOSFETS  SILICON  S/D   Fabrication and characteristics of Ti- and Ni-germanide Schottky contacts on n-Ge(100) substrates 其他 2004-01-01 Han, DD; Wang, X; Wang, Y; Tian, DY; Wang, W; Liu, XY; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 SOURCE/DRAIN  BARRIER  TRANSISTORS  MOSFETS  SILICON   Novel Schottky barrier MOSFET with dual-layer silicide source/drain structure 其他 2004-01-01 Li, DY; Sun, L; Xia, ZL; Zhang, SD; Liu, XY; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 TRANSISTORS   Electrical properties of Al2O3 gate dielectrics 其他 2003-01-01 Lin, CH; Kang, JF; Han, DD; Tian, DY; Wang, W; Zhang, JH; Liu, M; Liu, XY; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12 Al2O3 gate dielectric  electrical properties  carrier transport mechanism  interfacial traps