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| 一种有效提高阻变存储器耐久性的方法 专利
专利号: CN201410643264.9, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2015-03-25
作者: 龙世兵 ; 王国明; 张美芸; 李阳; 许定林
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| 对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法 专利
专利号: CN201410377423.5, 申请日期: 2017-10-17, 公开日期: 2014-11-05
作者: 王国明; 龙世兵; 张美芸; 李阳; 许晓欣
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| 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 专利
专利号: CN201310491719.5, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2014-01-22
作者: 龙世兵; 王国明; 张美芸; 李阳; 王明
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| 一种降低阻变存储器电铸电压的方法 专利
专利号: CN201410222652.X, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2014-07-30
作者: 吕杭炳; 刘琦; 刘明; 刘红涛; 龙世兵
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| 一种制备纳米器件的方法 专利
专利号: CN201310491769.3, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-01-08
作者: 龙世兵; 张美芸; 王国明; 李阳; 王明
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| 用于固体氧化物燃料电池阴极侧与连接件间的接触层及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2013-04-03, 公开日期: 2013-12-16
王国樑; 王蔚国; 官万兵; 金乐; 翟慧娟; 吴巍
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| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
作者: 李志聪
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| 一种交流发光二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
田婷; 赵勇兵; 詹腾; 郭金霞; 伊晓燕; 刘志强; 李璟; 王国宏
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| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
田婷; 谢海忠; 张逸韵; 王兵; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王国宏
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