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InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101685942, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌
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用于III-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101295753, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29
谢正生; 吴惠桢; 劳燕锋; 刘成; 曹萌; 黄占超
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一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1933263, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生
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一种含隧道结的垂直腔型光电子器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1780004, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
吴惠桢; 黄占超; 劳燕锋; 刘成; 齐鸣; 封松林
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一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1603795, 申请日期: 2005-04-06, 公开日期: 2005-04-06
劳燕锋; 吴惠桢; 封松林; 齐鸣
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一种含镁锌氧的金属－绝缘层－半导体结构及制备工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1599052, 申请日期: 2005-03-23, 公开日期: 2005-03-23
吴惠桢; 梁军; 劳燕锋
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磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1588612, 申请日期: 2005-03-02, 公开日期: 2005-03-02
吴惠桢; 劳燕锋; 郝幼生
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用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用夹具 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1527450, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2004-09-08
吴惠桢; 黄占超; 劳燕锋; 沈勤我; 齐鸣; 封松林
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