用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用夹具 | |
吴惠桢 ; 黄占超 ; 劳燕锋 ; 沈勤我 ; 齐鸣 ; 封松林 | |
2004-09-08 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN1527450 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在於高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜1、金属膜2和氧化物保护膜3组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2中的一种,相位匹配介质膜的厚度小于四分之一波长,金属膜为铝、金、银中的一种。激光器腔面镀膜所用夹具由三部分组成:叠放激光器解理条的基片为铁质圆片,可移动定位片为磁铁,以及夹持解 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2004-09-08 |
申请日期 | 2003-09-24 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 03151154.6 |
专利代理 | 潘振甦 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48687] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,黄占超,劳燕锋,等. 用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用夹具. CN1527450. 2004-09-08. |
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