| 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法 | |
| 吴惠桢 ; 劳燕锋 ; 郝幼生 | |
| 2005-03-02 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1588612 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种InP和GaAs的直接键合方法，包括表面清洁、叠片和高温退火三个工艺过程，其特征在于直接键合的工艺是在键合前InP和GaAs表面两次去氧化物层，然后不经高纯氮吹干而直接放入还原性氮水中浸泡，浸泡后直接放入防氧化的甲醇溶液中，叠片在甲醇溶液中进行，将InP的抛光面朝下置于GaAs抛光面的正上方，将InP和GaAs边与边对齐叠合在一起；键合温度在500-700℃，键合后退火，持续30-40分钟，键合和退火均在氮气保护下进行的。本发明一次可键合多片且键合时压力可调，键合温度低于文献报道，键合成功率 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2005-03-02 |
| 申请日期 | 2004-07-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200410052711.X |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48051]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,劳燕锋,郝幼生. 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法. CN1588612. 2005-03-02. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论