磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法 | |
吴惠桢 ; 劳燕锋 ; 郝幼生 | |
2005-03-02 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN1588612 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种InP和GaAs的直接键合方法,包括表面清洁、叠片和高温退火三个工艺过程,其特征在于直接键合的工艺是在键合前InP和GaAs表面两次去氧化物层,然后不经高纯氮吹干而直接放入还原性氮水中浸泡,浸泡后直接放入防氧化的甲醇溶液中,叠片在甲醇溶液中进行,将InP的抛光面朝下置于GaAs抛光面的正上方,将InP和GaAs边与边对齐叠合在一起;键合温度在500-700℃,键合后退火,持续30-40分钟,键合和退火均在氮气保护下进行的。本发明一次可键合多片且键合时压力可调,键合温度低于文献报道,键合成功率 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2005-03-02 |
申请日期 | 2004-07-09 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200410052711.X |
专利代理 | 潘振甦 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48051] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,劳燕锋,郝幼生. 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法. CN1588612. 2005-03-02. |
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