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科研机构
上海微系统与信息技... [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2011 [8]
2008 [1]
2004 [1]
学科主题
Engineeri... [10]
Electrical... [4]
Applied [2]
Condensed ... [2]
Electrical... [2]
Electrical... [2]
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Impact of within-wafer process variability on radiation response
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 883-888
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCI LTD
Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1347-1354
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Simple Method for Extracting Effective Sheet Charge Density Along STI Sidewalls Due to Radiation
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1332-1337
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Total Ionizing Dose Enhanced DIBL Effect for Deep Submicron NMOSFET
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1324-1331
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Total ionizing dose effects in elementary devices for 180-nm flash technologies
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1295-1301
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/04/10
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
Radiation Hardening by Applying Substrate Bias
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1355-1360
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
The impact of total ionizing radiation on body effect
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2011, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 1396-1399
Ning,BX
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Liu,ZL
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCI LTD
Comparison of TID response in core, input/output and high voltage transistors for flash memory
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 1148-1151
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/04/10
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
Effect of nanoclusters induced by Si implantation on total dose radiation response of a SOI wafer
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 15015-15015
Wu,AM
;
Chen,J
;
Zhang,EX
;
Wang,X
;
Zhang,ZX
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
INTERFACE TRAPS
IRRADIATION
NANOCRYSTALS
TRANSISTORS
OXIDES
LAYERS
HOLE
Ge condensation characterization of SiGe-On-Insulator structure fabricated by separation of oxygen implantation
期刊论文
2004: 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, VOLS 1- 3, PROCEEDINGS, 2004, 期号: 0, 页码: 2187-2189
Chen,ZJ
;
Zhang,F
;
Zhang,ZX
;
Bo,J
;
Wang,X
;
Zou,SC
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
STRAINED-SI
MOBILITY ENHANCEMENT
SIMOX TECHNOLOGY
ELECTRON
SILICON
MOSFETS
LAYER
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