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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607 作者:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  兰博 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/11/29 商用CCD  氧化物电荷  界面态  退火效应   电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 124-128 作者:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  王义元 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29 电荷耦合器件  位移损伤  γ射线  电子辐照   运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 运算放大器  60Coγ辐照  退火  剂量率效应   80C31单片机电路总剂量效应研究 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590 作者:  匡治兵;  郭旗;  任迪远;  李爱武;  汪东 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/11/29 单片机  60Coγ辐照  辐射损伤  退火   栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学锋;  郑毓峰 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 CMOS运算放大器  跨导  栅氧层  氧化物电荷  界面态   双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 925-928 作者:  陆妩;  余学锋;  任迪远;  艾尔肯;  郭旗 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29 双极晶体管  60Coγ辐照  剂量率效应  退火   JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 JFET输入双极运算放大器  60Coγ辐照  剂量率效应  退火   MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978 作者:  余学峰;  任迪远;  艾尔肯;  张国强;  陆妩 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/29 热载子注入  总剂量辐照  相关性   CMOS运算放大器的辐照和退火行为 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 731-734 作者:  任迪远;  陆妩;  郭旗;  余学锋;  王明刚 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29 CMOS运算放大器  电离辐射  退火