CMOS运算放大器的辐照和退火行为 | |
任迪远; 陆妩![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2004 | |
卷号 | 25期号:6页码:731-734 |
关键词 | CMOS运算放大器 电离辐射 退火 |
ISSN号 | 0253-4177 |
其他题名 | radiating and annealing on cmos operation amplifier |
中文摘要 | 介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律 ,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因.结果显示,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷 和Si/SiO2界面态密度的增长与退火直接相关. |
英文摘要 | The behavior of the CMOS op-amps exposed to the ionizing radiation and annealing characteristic after irradiation in different biases and temperature are described. The tested characteristics include all electrical parameters of op-amps and inner transistor,and the current and voltage of the nodes of the subsidiary circuits. The change of radiation-induced oxide trapped charge and Si/SiO2 interface state density depends on the annealing biases and temperature in quite extent. |
学科主题 | Engineering (provided by Thomson Reuters) |
公开日期 | 2012-11-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2169] ![]() |
专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所;西安微电子技术研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 任迪远,陆妩,郭旗,等. CMOS运算放大器的辐照和退火行为[J]. 半导体学报,2004,25(6):731-734. |
APA | 任迪远.,陆妩.,郭旗.,余学锋.,王明刚.,...&赵文魁.(2004).CMOS运算放大器的辐照和退火行为.半导体学报,25(6),731-734. |
MLA | 任迪远,et al."CMOS运算放大器的辐照和退火行为".半导体学报 25.6(2004):731-734. |
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