80C31单片机电路总剂量效应研究

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	80C31单片机电路总剂量效应研究
	匡治兵; 郭旗; 任迪远; 李爱武; 汪东
刊名	微电子学
	2005
卷号	35 期号:6 页码:584-586,590
关键词	单片机 60Coγ辐照辐射损伤退火
ISSN号	1004-3365
其他题名	an investigation into total dose effects on 80c31 microcontroller
中文摘要	研究了80C31单片机电路在60Coγ辐照环境中的响应特性及参数变化规律,通过对辐照后其电离辐照敏感参数在室温和100℃高温条件下随时间变化关系的分析,讨论了电路总剂量辐射损伤的机理。
英文摘要	Effects of ionizing radiation on 80C31 microcontroller were investigated. Its response characteristics and parameter variation under total dose irradiation were studied. Furthermore, results of post-irradiation annealing test at room- and high-temperature （100 ℃） were analyzed, and failure mechanisms caused by total dose radiation were discussed.
学科主题	Engineering (provided by Thomson Reuters)
公开日期	2012-11-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2168]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院研究生院
推荐引用方式 GB/T 7714	匡治兵,郭旗,任迪远,等. 80C31单片机电路总剂量效应研究[J]. 微电子学,2005,35(6):584-586,590.
APA	匡治兵,郭旗,任迪远,李爱武,&汪东.(2005).80C31单片机电路总剂量效应研究.微电子学,35(6),584-586,590.
MLA	匡治兵,et al."80C31单片机电路总剂量效应研究".微电子学 35.6(2005):584-586,590.