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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [3]
发表日期
2004 [1]
2003 [3]
2002 [1]
2001 [2]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Photoluminescence study of InGaN/GaN quantum dots grown on passivated GaN surface
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 13-17
Huang JS
;
Chen Z
;
Luo XD
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:137/15
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提交时间:2010/03/09
atomic force microscopy
A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637
Huang JS
;
Dong X
;
Lu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:266/14
  |  
提交时间:2010/08/12
AlInGaN
MOCVD
localized exitons
quantum dots
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LUMINESCENCE
RELAXATION
SILICON
GAN
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
1st international symposium on point defect and stoichiometry, sendai, japan, mar 20-22, 2003
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/10/29
GaN
low-frequency noise
deep levels
deep level transient Fourier spectroscopy
DEVICES
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003
作者:
Tan PH
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浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
GAAS1-XNX
PHOTOLUMINESCENCE
RELAXATION
Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318
Leung BH
;
Chan NH
;
Fong WK
;
Zhu CF
;
Ng SW
;
Lui HF
;
Tong KY
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:129/0
  |  
提交时间:2010/08/12
deep level transient Fourier spectroscopy
(DLTFS)
gallium nitride (GaN)
intermediate-temperature buffer layer (ITBF)
low-frequency noise
RESONANT-TUNNELING DIODES
GENERATION-RECOMBINATION NOISE
RANDOM-TELEGRAPH NOISE
ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS
DEVICES
Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597
Tsang MS
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Y
;
Han HX
;
Li LH
;
Pan Z
收藏
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浏览/下载:99/11
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提交时间:2010/08/12
GAINNAS ALLOYS
BAND-STRUCTURE
GAAS
NITROGEN
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
BEHAVIOR
MASS
Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960
Luo XD
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
收藏
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浏览/下载:125/4
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BAND-GAP ENERGY
TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE
MECHANISM
GANXAS1-X
EMISSION
NITROGEN
ALLOYS
SHIFT
GANAS
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
Luo XD
;
Xu ZY
;
Sun BQ
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/10/29
GaNAs
photoluminescence
band offset
band bowing coefficient
localized exciton
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
TEMPERATURE
GAASN
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