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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical matching layer structures in evanescent coupling photodiodes at a wavelength of 1.55 mu m: physics, design and simulation 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 225-230 Zhang Y; Zuo YH; Guo JC; Ding WC; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：336/41  |  提交时间：2010/03/08 optical matching  evanescent coupling  diluted waveguide  waveguide photodiode   Characteristic analysis of the optical delay in frequency response of resonant cavity enhanced (RCE) photodetectors 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2223-2228 Guo JC; Zuo YH; Zhang Y; Ding WC; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/08 electrical bandwidth  frequency response  optical delay  photodetectors   Enhanced near-infrared photoluminescence from isoelectronic luminescent centers in sulfur-implanted silicon with copper or silver coimplantation 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: art.no.081101 Zhang JG; Wang XX; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM; Hau J; Ding L; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/29 DOPED CRYSTALLINE SILICON   Electroluminescence afterglow from indium tin oxide/Si-rich SiO2/p-Si structure 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1306-1309 Wang XX; Zhang JG; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 SILICON NANOCRYSTALS  SI  PHOTOLUMINESCENCE  EVOLUTION   Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4211-4214 Cheng BW; Zhang JG; Zuo YH; Mao RW; Huang CJ; Luo LP; Yao F; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 SI-GE ALLOYS  GROWTH  LAYERS