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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.50 作者:  Wei HY;  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：65/2  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CORE-LEVEL PHOTOEMISSION  SB-DOPED SNO2  INN  GROWTH  GAN  NAXWO3  ALLOYS  GREEN  STATE   Rapid thermal annealing effects on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots capped by InAlAs/InGaAs layers 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 967-970 Lu, W; Li, DB; Zhang, ZY; Li, CR; Zhang, Z; Xu, B; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/03/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Effect of misfit dislocation originated from strained layer on photoluminescence properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 971-974 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/17 OPTICAL-PROPERTIES   Alloy compositional fluctuation in InAlGaN epitaxial films 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: 649-652 Li, DB; Dong, X; Huang, J; Liu, X; Xu, Z; Zhang, Z; Wang, Z 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/03/17 MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:   收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 substrate  heteroepitaxy  low pressure chemical vapor deposition  semiconducting silicon carbide  COMPLIANT SUBSTRATE  CRITICAL THICKNESS  SILICON  RELAXATION  MECHANISM  DEFECTS  LAYERS   Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  strain  molecular beam epitaxy  organometallic vapor phase epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  HETEROEPITAXIAL GROWTH  LAYERS  OXIDATION  EPITAXY   Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308 作者:  Xu B;  Li CM;  Jin P;  Ye XL;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD CURRENT  MU-M  LASERS