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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841 Qu BZ; Zhu QS; Sun XH; Wan SK; Wang ZG; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：293/4  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  GALLIUM NITRIDE  FILMS  DEFECTS  LUMINESCENCE  COMPENSATION  SPECTROSCOPY  ACCEPTORS   Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267 Zhu QS; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  DEEP LEVELS   DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP 期刊论文 journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 SEMICONDUCTORS  DEFECTS  VACANCY  SILICON  LEVEL  LPE   FIELD-EFFECT ON THERMAL EMISSION FROM THE 0.40 EV ELECTRON LEVEL IN INGAP 期刊论文 journal of applied physics, 1993, 卷号: 73, 期号: 2, 页码: 771-774 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 LIQUID-PHASE EPITAXY  100 GAAS  TRANSIENT SPECTROSCOPY  OPTICAL-PROPERTIES  SEMICONDUCTORS  SILICON  VACANCY  DEFECTS  TRAPS   OXYGEN IN INXGA1-XASYP1-Y GROWN ON GAAS 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 1992, 卷号: 172, 期号: 2, 页码: 647-653 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/15 100 GAAS  SEMICONDUCTORS  INGAP