DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP | |
ZHU QS ; HIRAMATSU K ; SAWAKI N ; AKASAKI I ; LIU XN | |
刊名 | journal of applied physics |
1994 | |
卷号 | 76期号:11页码:7410-7414 |
关键词 | SEMICONDUCTORS DEFECTS VACANCY SILICON LEVEL LPE |
ISSN号 | 0021-8979 |
通讯作者 | zhu qs acad sinicainst semicondpob 912beijing 100083peoples r china |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2010-11-15 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13945] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ZHU QS,HIRAMATSU K,SAWAKI N,et al. DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP[J]. journal of applied physics,1994,76(11):7410-7414. |
APA | ZHU QS,HIRAMATSU K,SAWAKI N,AKASAKI I,&LIU XN.(1994).DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP.journal of applied physics,76(11),7410-7414. |
MLA | ZHU QS,et al."DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP".journal of applied physics 76.11(1994):7410-7414. |
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