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科研机构
半导体研究所 [15]
内容类型
期刊论文 [12]
成果 [3]
发表日期
2012 [2]
2008 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1997 [2]
1996 [2]
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学科主题
半导体器件 [15]
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学科主题:半导体器件
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Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 13, 页码: 131101
Ma J (Ma, Jun)
;
Ji XL (Ji, Xiaoli)
;
Wang GH (Wang, Guohong)
;
Wei XC (Wei, Xuecheng)
;
Lu HX (Lu, Hongxi)
;
Yi XY (Yi, Xiaoyan)
;
Duan RF (Duan, Ruifei)
;
Wang JX (Wang, Junxi)
;
Zeng YP (Zeng, Yiping)
;
Li JM (Li, Jinmin)
;
Yang FH (Yang, Fuhua)
;
Wang C (Wang, Chao)
;
Zou G (Zou, Gang)
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/03/27
A Self-Aligned Process to Fabricate a Metal Electrode-Quantum Dot/Nanowire-Metal Electrode Structure with 100% Yield
期刊论文
chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 098102
Fu YC (Fu Ying-Chun)
;
Wang XF (Wang Xiao-Feng)
;
Fan ZC (Fan Zhong-Chao)
;
Yang X (Yang Xiang)
;
Bai YX (Bai Yun-Xia)
;
Zhang JY (Zhang Jia-Yong)
;
Ma HL (Ma Hui-Li)
;
Ji A (Ji An)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/04/18
InGaAs/InPAPD探测器光电特性检测
期刊论文
电子科技大学学报, 2008, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 460-463
作者:
陈良惠
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
A Novel Two-Section Co-Cavity Wavelength Tunable Semiconductor Laser
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 816
作者:
Wang W(王圩)
;
Zhu HL(朱洪亮)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/23
1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器
期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 793
作者:
王圩
;
朱洪亮
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性
期刊论文
光子学报, 1997, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 418
作者:
王圩
;
王玉田
;
朱洪亮
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/11/23
LP-MOVPE生长的1.3μmInGaAsP/InP张压应变交替MQW特性
期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 232
作者:
王圩
;
朱洪亮
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
1.27μm吸收型部分增益耦合MQW-DFB激光器
期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 231
作者:
王圩
;
朱洪亮
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
MOCVD生长大功率单量子阱激光器
期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 392
作者:
韩勤
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/23
InGaAsP/InP PBH 双区共腔双稳激光器的H+轰击掩膜研究
期刊论文
半导体学报, 1993, 卷号: 14, 期号: 9, 页码: 562
张权生
;
吕卉
;
杜云
;
马朝花
;
吴荣汉
;
高洪海
;
高文智
;
芦秀玲
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/11/23
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