1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

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	1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器
	王圩; 朱洪亮
刊名	半导体学报
	1998
卷号	19 期号:10 页码:793
中文摘要	在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μm InGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器，器件采用全MOVPE生长，阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB,在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高。
英文摘要	在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μm InGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器，器件采用全MOVPE生长，阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB,在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:25导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5727.pdf: 302897 bytes, checksum: 85e27a3f929b3336873adc90c46415c2 (MD5) Previous issue date: 1998; 中科院半导体所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19287]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王圩,朱洪亮. 1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器[J]. 半导体学报,1998,19(10):793.
APA	王圩,&朱洪亮.(1998).1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器.半导体学报,19(10),793.
MLA	王圩,et al."1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器".半导体学报 19.10(1998):793.