InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测

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	InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测
	陈良惠
刊名	电子科技大学学报
	2008
卷号	37 期号:3 页码:460-463
中文摘要	建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统．利用该系统对光．敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管（APDs）进行测试．测试结果表明，该APD器件在90％击穿电压下的暗电流为151nA，在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好．提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流一电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子．通过该方法得到的InGaAs／InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10-100量级．
英文摘要	建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统．利用该系统对光．敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管（APDs）进行测试．测试结果表明，该APD器件在90％击穿电压下的暗电流为151nA，在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好．提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流一电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子．通过该方法得到的InGaAs／InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10-100量级．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:51导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3894.pdf: 1110667 bytes, checksum: affef4410d4d45a5dd393ef48fe84fab (MD5) Previous issue date: 2008; 中国科学院半导体研究所;厦门大学物理系
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16071]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠. InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测[J]. 电子科技大学学报,2008,37(3):460-463.
APA	陈良惠.(2008).InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测.电子科技大学学报,37(3),460-463.
MLA	陈良惠."InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测".电子科技大学学报 37.3(2008):460-463.