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穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
作者: 王玉田; 江德生; 赵德刚; 朱建军; 张书明

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Defect Cluster-Induced X-Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVD 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1242-1245
作者: Zhao Degang; Wang Yutian; Jiang Desheng; Duan Ruifei; Ma Zhifang

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缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑，技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
作者: 王玉田; 张书明; 朱建军

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In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471
作者: 王玉田

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GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量 期刊论文
中国科学. G辑，物理, 2003, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 122-125
作者: 朱建军; 赵德刚; 王玉田

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横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究 期刊论文
核技术, 2002, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 770-774
作者: 王玉田

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GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制 期刊论文
中国科学. A辑，数学, 2002, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 737-742
作者: 朱建军; 赵德刚; 王玉田

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GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 期刊论文
中国科学. E辑，技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589
作者: 王玉田; 赵德刚; 张书明

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快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响（英文） 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 695
作者: 王玉田

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