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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nanochannels: A 1D Vanadium Dioxide Nanochannel Constructed via Electric-Field-Induced Ion Transport and its Superior Metal-Insulator Transition (Adv. Mater. 39/2017) 期刊论文 Advanced Materials, 2017, 卷号: Vol.29 No.39 作者:  Xiao-Hong Xu and Run-Wei Li;  Hongwei Tan;  Shuang Gao;  Jun Ding 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 metal-insulator  transitions  nanoconfinement  oxygen  ion  migration  resistive  switching  nanochannels   Impact of native defects and impurities in m−HfO2 and β−Si3N4 on charge trapping memory devices: A first principle hybrid functional study. 期刊论文 Physica Status Solidi (B), 2017, 卷号: Vol.254 No.2 作者:  Lu,Wenjuan;  Wang,Feifei;  Dai,Yuehua;  Jin,Bo 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 NONVOLATILE MEMORY  SILICON-NITRIDE  POINT-DEFECTS  HFO2  OXYGEN  PREDICTION   The study about the resistive switching based on graphene/NiO interfaces 期刊论文 AIP Advances, 2017, 卷号: Vol.7 No.8, 页码: 085308 作者:  Lu,Wenjuan;  Wang,Feifei;  Yang,Jin;  Ma,Chengzhi;  Dai,Yuehua 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 NONVOLATILE MEMORY  OXIDE  ELECTRODES  NANOWIRES  DFTB  RRAM   Two-dimensionalanalyticalmodelofdouble-gate tunnelFETswith interface trapped charges including effects ofchannelmobile charge carriers* 期刊论文 半导体学报(英文版), 2017, 卷号: 第38卷, 页码: 51-58 作者:  Huifang Xu;  Yuehua Dai 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/17 界面陷阱  隧道长度  二维分析  电荷包  模型  场效应管  载体效应  双栅   Physical mechanism of resistance switching in the co-doped RRAM 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: Vol.38 No.1, 页码: 014008 作者:  Chen,Junning;  Wang,Feifei;  Jiang,Xianwei;  Lu,Shibin;  Dai,Yuehua 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/22 ELECTROLYTE-BASED RERAM  CONDUCTIVE FILAMENTS  TI/HFO2 INTERFACE  MEMORY  OXIDE  PERFORMANCE  DEVICES   Two-dimensional analytical model of double-gate tunnel FETs with interface trapped charges including effects of channel mobile charge carriers 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: Vol.38 No.2, 页码: 024004 作者:  Dai,Yuehua;  Xu,Huifang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 FIELD-EFFECT TRANSISTOR   First principles study of crystal Si-doped Ge2Sb2Te5 期刊论文 Solid State Communications, 2017, 卷号: Vol.252, 页码: 6-10 作者:  Yan, Beibei;  Chang, Hong;  Chen, Tian;  Wang, Minglei;  Dai, Yuehua 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 PHASE-CHANGE  AB-INITIO  METASTABLE GE2SB2TE5  ELECTRON-DIFFRACTION   Study of the Non-Linearity on TiO2(0 0 1) Surface with Oxygen Defects: A First-Principles Study 期刊论文 Nano, 2017, 卷号: Vol.12 No.8, 页码: 1750097 作者:  Pan,Zhiyong;  Lu,Wenjuan;  Wang,Feifei;  Yang,Jin;  Ma,Chengzhi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  SELECTOR  NANOCROSSBAR  PERFORMANCE  SIMULATION  DENSITY  MEMORY  DIODE  LAYER  TIO2   Research on c-HfO2 (001)/alpha-Al2O3 (1-102) interface in CTM devices based on first principle theory 期刊论文 AIP ADVANCES, 2017, 卷号: Vol.7 No.12 作者:  Ma, Chengzhi;  Wang, Feifei;  Jiang, Xianwei;  Lu, Wenjuan;  Zhang, Xu 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Physical mechanism of resistance switching in the co-doped RRAM 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: 第38卷, 页码: 104-109 作者:  Shibin Lu;  Junning Chen;  Yuehua Dai;  Feifei Wang;  Xianwei Jiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/17 RRAM  resistive  switching  co-doped  conductive  path  physical  mechanism