| Two-dimensionalanalyticalmodelofdouble-gate tunnelFETswith interface trapped charges including effects ofchannelmobile charge carriers* | |
| Huifang Xu; Yuehua Dai | |
| 刊名 | 半导体学报(英文版)
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| 2017 | |
| 卷号 | 第38卷页码:51-58 |
| 关键词 | 界面陷阱 隧道长度 二维分析 电荷包 模型 场效应管 载体效应 双栅 |
| ISSN号 | 1674-4926 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2087341 |
| 专题 | 安徽大学 |
| 作者单位 | 1.Institute of Electronic and Information Engineering, Anhui University 2.Institute of Electrical and Electronic Engineering, Anhui Science and Technology University |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huifang Xu,Yuehua Dai. Two-dimensionalanalyticalmodelofdouble-gate tunnelFETswith interface trapped charges including effects ofchannelmobile charge carriers*[J]. 半导体学报(英文版),2017,第38卷:51-58. |
| APA | Huifang Xu,&Yuehua Dai.(2017).Two-dimensionalanalyticalmodelofdouble-gate tunnelFETswith interface trapped charges including effects ofchannelmobile charge carriers*.半导体学报(英文版),第38卷,51-58. |
| MLA | Huifang Xu,et al."Two-dimensionalanalyticalmodelofdouble-gate tunnelFETswith interface trapped charges including effects ofchannelmobile charge carriers*".半导体学报(英文版) 第38卷(2017):51-58. |
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