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| 半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN201210505744.X, 申请日期: 2016-09-28, 公开日期: 2014-06-11
作者: 周华杰 ; 陈大鹏; 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US9431504, 申请日期: 2016-08-30, 公开日期: 2016-03-24
作者: 赵治国; 陆智勇; 张永奎; 朱慧珑; 殷华湘
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: US9385212, 申请日期: 2016-07-05, 公开日期: 2016-03-10
作者: 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑; 殷华湘
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| Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文
Microelectronics Engineering, 2016
作者: Wang GL(王桂磊); Qin ZL(秦长亮); Yin HX(殷华湘); Duan NY(段宁远); Yang T(杨涛)
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: US9337102, 申请日期: 2016-05-10, 公开日期: 2016-03-17
作者: 王桂磊; 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 朱慧珑
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| 半导体器件的制造方法 专利
专利号: US9252059, 申请日期: 2016-02-02, 公开日期: 2014-06-05
作者: 徐秋霞; 陈大鹏; 许高博; 周华杰; 朱慧珑
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| Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device 期刊论文
Solid-State Electronics, 2016
作者: Xu GB(许高博); Zhou HJ(周华杰); Zhu HL(朱慧珑); Liu JB(刘金彪); Wang Y(王垚)
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| Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 14？nm node FinFETs 期刊论文
solid-state electronics, 2016
作者: 秦长亮
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| 22纳米集成电路核心工艺 成果
2016
主要完成人: 张建勇; 霍宗亮; 李俊峰; 殷华湘; 王文武
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