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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110311343.6, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-04-17
作者: 梁擎擎 ; 朱慧珑; 殷华湘; 钟汇才
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| P型MOSFET的制造方法 专利
专利号: US9196706, 申请日期: 2015-11-24, 公开日期: 2014-06-05
作者: 徐秋霞; 叶甜春; 朱慧珑; 周华杰; 许高博
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| Ion-Implanted TiN Metal Gate With Dual Band-Edge Work Function and Excellent Reliability for Advanced CMOS Device Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
作者: Zhu HL(朱慧珑); Liang QQ(梁擎擎); Liu JB(刘金彪); Li JF(李俊峰); Xiang JJ(项金娟)
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/05/31 |
| 半导体器件的制造方法 专利
专利号: US9136181, 申请日期: 2015-09-15, 公开日期: 2014-06-05
作者: 周华杰; 陈大鹏; 许高博; 徐秋霞; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2016/09/19 |
| Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs 期刊论文
Solid-State Electronics, 2015
作者: Li JF(李俊峰); Wang GL(王桂磊); Xu YF(徐烨峰); Luo J(罗军); Guo YL(郭奕栾)
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| Improved Short Channel Effect Control in Bulk FinFETs With Vertical Implantation to Form Self-Aligned Halo and Punch-Through Stop Pocket 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015
作者: Chen DP(陈大鹏); Ye TC(叶甜春); Zhu HL(朱慧珑); Yin HX(殷华湘); Xu M(许淼)
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/05/31 |
| Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2015
作者: Zhao ZG(赵治国); Luo J(罗军); Yang H(杨红); Meng LK(孟令款); Hong PZ(洪培真)
收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2016/05/31 |
