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内容类型
期刊论文 [24]
专利 [1]
成果 [1]
发表日期
2014 [26]
学科主题
物理化学 [1]
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共26条,第1-10条
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发表日期:2014
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热解析-气相色谱或气相色谱-质谱法分析大气可吸入颗粒物中的半挥发性有机化合物
期刊论文
Chinese Journal of Analytical Chemistry分析化学, 2014, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 931
作者:
孟虎
;
赵景红
;
段春凤
;
郝亮
;
关亚风
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2015/11/16
一种多功能精密交流伺服旋锻机
专利
申请日期: 2014-07-02,
作者:
赵升吨
;
宋涛
;
陈超
;
刘红宝
;
景飞
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/02
光皮树不同无性系主要农艺性状多样性分析
期刊论文
植物分类与资源学报, 2014, 卷号: 36, 期号: 06, 页码: 755-762
作者:
陈韵竹
;
蒋丽娟
;
陈景震
;
刘强
;
张路红
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/24
Saikosaponin-d suppresses the expression of cyclooxygenase-2 through the phospho-signal transducer and activator of transcription 3/hypoxia-inducible factor-1 alpha pathway in hepatocellular carcinoma cells
期刊论文
MOLECULAR MEDICINE REPORTS, 2014, 卷号: 10, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 2556-2562
作者:
He, Shuixiang
;
Lu, Guifang
;
Hou, Helei
;
Zhao, Zhenjun
;
Zhu, Zhanfang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/03
saikosaponin-d
cyclooxygenase-2
signal transducer and activator of transcription 3
hypoxia inducible factor-1 alpha
hepatocellular carcinoma cell
持久性有机污染物暴露人群DNA损伤修复基因表达的研究
期刊论文
环境与健康杂志, 2014
何晓波
;
景亚青
;
李克秋
;
赵玉霞
;
杨彩红
;
杨巧云
;
邱兴华
;
李光
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/11
电子垃圾
持久性有机污染物
DNA损伤修复基因
Electronic waste
Persistent organic pollutants
DNA damage repair gene
陶瓷地砖防滑性能的测试方法
期刊论文
《佛山陶瓷》, 2014, 卷号: 0, 页码: 27-30
作者:
赵江伟[1,2]
;
肖景红[1]
;
李燕峰[1]
;
袁芳丽[1]
;
刘亚民[1]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/25
陶瓷地砖
表面粗糙度 倾斜平台法
摆锤法
防滑性能
TLR 4/NF-κB 在糖尿病小鼠和非糖尿病小鼠脑缺血-再灌注损伤中的对比分析
期刊论文
脑与神经疾病杂志, 2014, 卷号: 第2期, 页码: 95-98
作者:
刘文霞
;
樊树红
;
赵景茹
;
安楠
;
刘山山
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/03/26
脑梗死
糖尿病
小鼠
Toll样受体4
精氨酸加压素对学习记忆与应激性情绪反应的调节作用
期刊论文
脑与神经疾病杂志, 2014, 卷号: 第22卷, 页码: 395-398
作者:
赵景茹
;
李娜
;
李俐涛
;
董立朋
;
王建华
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/03/26
Effect of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014, 期号: 12, 页码: 32-35
作者:
Zhao JT(赵景涛)
;
Lin ZJ(林兆军)
;
Luan CB(栾崇彪)
;
Yang M(杨铭)
;
Zhou Y(周阳)
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提交时间:2019/12/17
side-ohmic contact
AlN/GaN
heterostructure field effect transistor
Comparison for the carrier mobility between the III–V nitrides and AlGaAs/GaAs heterostructure field-effect transistors
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014, 期号: 09, 页码: 69-74
作者:
Luan CB(栾崇彪)
;
Lin ZJ(林兆军)
;
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Zhao JT(赵景涛)
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
III–V nitride and AlGaAs/GaAs HFETs
polarization Coulomb field scattering
2DEG electron mobility
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