QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究 期刊论文 人工晶体学报, 2012, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 1276-1279,1285 作者:  闫小兵[1];  史守山[2];  贾长江[3];  张二鹏[4];  李钗[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/21 阻变开关  STO  Ti反应电极  开关机制  脉冲激光沉积   多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长 期刊论文 人工晶体学报, 2012, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 120-124 作者:  马蕾[1];  郭延岭[2];  娄建忠[3];  彭英才[4] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/21 多晶Si薄膜  Si纳米线  退火温度  生长时间  光致发光   nc-Si:H薄膜的微结构特征与光学特性 期刊论文 河北大学学报（自然科学版）, 2012, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 592-596 作者:  娄建忠[1];  李钗[2];  马蕾[3];  王峰[4];  江子荣[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/21 RF-PECVD  nc-Si:H薄膜  微结构  光学特性   射频功率对RF-PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响 期刊论文 功能材料, 2012, 卷号: 43, 期号: 23, 页码: 3329-3332 作者:   收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 RF-PECVD  nc-Si∶H薄膜  结构特征  光学特性