| 多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长 | |
| 马蕾[1]; 郭延岭[2]; 娄建忠[3]; 彭英才[4] | |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 2012 | |
| 卷号 | 41期号:1页码:120-124 |
| 关键词 | 多晶Si薄膜 Si纳米线 退火温度 生长时间 光致发光 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5093728 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | [1]河北大学电子信息工程学院,保定,071002[2]河北大学电子信息工程学院,保定,071002[3]河北大学电子信息工程学院,保定,071002[4]河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马蕾[1],郭延岭[2],娄建忠[3],等. 多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长[J]. 人工晶体学报,2012,41(1):120-124. |
| APA | 马蕾[1],郭延岭[2],娄建忠[3],&彭英才[4].(2012).多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长.人工晶体学报,41(1),120-124. |
| MLA | 马蕾[1],et al."多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长".人工晶体学报 41.1(2012):120-124. |
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