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| 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利 专利号: CN101316026B, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07 作者: 山下文雄; 伊藤茂稔; 山本秀一郎; 川上俊之
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| 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18 作者: 津田 有三; 伊藤 茂稔; 石田 真也; 花岡 大介; 神川 剛
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| 氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 专利 专利号: CN102144342A, 申请日期: 2011-08-03, 公开日期: 2011-08-03 作者: 神川刚; 麦华路巴武吕; 伊藤茂稔
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| 氮化物半导体激光元件 专利 专利号: CN102084560A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01 作者: 太田征孝; 伊藤茂稔; 津田有三; 麦华路巴武吕; 高桥幸司
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| 半導体発光装置およびその製造方法 专利 专利号: JP4678805B2, 申请日期: 2011-02-10, 公开日期: 2011-04-27 作者: 大野 智輝; 伊藤 茂稔
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