| 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 | |
| 津田 有三; 伊藤 茂稔; 石田 真也; 花岡 大介; 神川 剛; 近江 晋 | |
| 2011-11-04 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP4854133B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 改善された低い閾値電流密度を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板の一主面上に形成された溝と丘を含む加工基板101と、この加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層102と、この窒化物半導体下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層106を含む窒化物半導体多層発光構造とを含み、丘の幅方向の中央から1μm以上離れかつその丘の幅内の領域の上方に多層発光構造の電流狭窄部が形成されている。 |
| 公开日期 | 2012-01-18 |
| 申请日期 | 2001-05-11 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33731]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 津田 有三,伊藤 茂稔,石田 真也,等. 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置. JP4854133B2. 2011-11-04. |
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