QQ客服 官方微博 反馈留言

	氮化物半导体发光器件和半导体发光器件
	神川刚; 麦华路巴武吕; 伊藤茂稔
	2011-08-03
著作权人	夏普株式会社
专利号	CN102144342A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	氮化物半导体发光器件和半导体发光器件
英文摘要	在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。
公开日期	2011-08-03
申请日期	2009-09-03
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90227]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	夏普株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	神川刚,麦华路巴武吕,伊藤茂稔. 氮化物半导体发光器件和半导体发光器件. CN102144342A. 2011-08-03.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。