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科研机构
山东师范大学 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2007 [7]
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共7条,第1-7条
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发表日期:2007
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采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓
期刊论文
2007, 卷号: 2, 期号: 2, 页码: 34-35
作者:
孙莉莉[1]
;
薛成山[1]
;
孙传伟[1]
;
艾玉杰[1]
;
庄惠照[1]
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/04
GaN
磁控溅射
线状
氮化铟粉末的热稳定性
期刊论文
2007, 卷号: 36, 期号: A03, 页码: 53-55
作者:
王福学[1]
;
薛成山[1]
;
庄惠照[1]
;
艾玉杰[1]
;
孙丽丽[1]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/01/04
热稳定性
InN
In2O3
溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用
期刊论文
2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 193-194
作者:
艾玉杰[1]
;
薛成山[1]
;
孙莉莉[1]
;
孙传伟[2]
;
庄惠照[1]
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/01/07
GaN
磁控溅射
纳米棒
氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线
期刊论文
2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 259-260
作者:
孙莉莉[1]
;
薛成山[1]
;
艾玉杰[1]
;
孙传伟[2]
;
庄惠照[1]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/28
磁控溅射
氨化
GaN薄膜
Ti
氨化Si基Ga2O3/In制备GaN薄膜
期刊论文
2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 231-233
作者:
王福学[1]
;
薛成山[1]
;
庄惠照[1]
;
张晓凯[1]
;
艾玉杰[1]
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/28
GaN
Ga2O3/In
氨化
磁控溅射
退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响
期刊论文
2007, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 472-475
作者:
吴玉新[1,2]
;
薛成山[1]
;
庄惠照[1]
;
田德恒[1]
;
刘亦安[1]
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提交时间:2019/12/28
氮化镓薄膜
电泳沉积
退火温度
光致发光
氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜
期刊论文
2007, 卷号: 38, 期号: 10, 页码: 1632-1634
作者:
薛成山[1]
;
王福学[1]
;
庄惠照[1]
;
张晓凯[1]
;
艾玉杰[1]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/28
GaN
Ga2O3/In2O3
氨化
磁控溅射
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