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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2005     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of nitrogen implantation technologies on total dose rad-hardness of SIMON materials 期刊论文 Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1269-1272 Zhang, Enxia1; Qian, Cong1; Zhang, Zhengxuan1; Wang, Xi1; Zhang, Guoqiang2; Li, Ning2; Zheng, Zhongshan2; Liu, Zhongli2 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 Research on the effect of nitrogen implantation doses with the structure of separated by implanted oxygen and nitrogen 期刊论文 Smart Materials and Structures, 14, (2005) P42-45, 2005, 卷号: 14, 页码: 42-45 Enxia zhang, Wanbing Yi; Jing Chen, Zhengxuan Zhang; Xi Wang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/06/13 Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866 Zheng Zhongshan; Liu Zhongli; Zhang Guoqiang; Li Ning; Li Guohua; Ma Hongzhi; Zhang Enxia; Zhang Zhengxuan; Wang Xi 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23