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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2003 [4]
学科主题
半导体物理 [4]
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发表日期:2003
学科主题:半导体物理
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A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637
Huang JS
;
Dong X
;
Lu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:266/14
  |  
提交时间:2010/08/12
AlInGaN
MOCVD
localized exitons
quantum dots
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LUMINESCENCE
RELAXATION
SILICON
GAN
Alloy states in dilute GaAs1-xNx alloys (x < 1%)
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 11, 页码: 1697-1699
Luo XD
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Yang CL
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
BAND-GAP REDUCTION
GAASN
EXCITONS
Time-resolved photoluminescence studies of AlInGaN alloys
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 1148-1150
作者:
Li DB
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2010/08/12
INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS
LUMINESCENCE
Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/08/12
AlInGaN
quantum dots
hopping
stretched-exponential decay
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LIGHT-EMITTING-DIODES
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-ACTIVATION
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
RELAXATION
SILICON
LAYERS
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