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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2001    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 深亚微米FD-SOI器件亚阈模型 期刊论文 半导体学报, 2001, 期号: 7, 页码: 908-914 作者:  程彬杰;  邵志标;  唐天同;  沈文正;  赵文魁 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 表面势  全耗尽MOS器件  亚阈区模型  漏感应势垒降低效应   Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性 期刊论文 电子学报, 2001, 期号: 8, 页码: 1132-1134 作者:  张万荣;  李志国;  王立新;  汪东;  崔福现 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 SiGe/Si异质结双极晶体管  输出特性  负阻   Modeling of subthreshold characteristics of deep-submicrometer FD devices 期刊论文 Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 908-914 作者:  Cheng, Bin-Jie;  Shao, Zhi-Biao;  Tang, Tian-Tong;  Shen, Wen-Zhen;  Zhao, Wen-Kui 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/07 DIBL effect  FD device  Model of subthreshold region  Surface potential