Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性 | |
张万荣; 李志国; 王立新; 汪东; 崔福现; 孙英华; 程尧海; 陈建新; 沈光地; 罗晋生 | |
刊名 | 电子学报
![]() |
2001 | |
期号 | 8页码:1132-1134 |
关键词 | SiGe/Si异质结双极晶体管 输出特性 负阻 |
ISSN号 | 0372-2112 |
DOI | 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.08.035 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | CSCD ; PKU |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6616011 |
专题 | 西安交通大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张万荣,李志国,王立新,等. Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性[J]. 电子学报,2001(8):1132-1134. |
APA | 张万荣.,李志国.,王立新.,汪东.,崔福现.,...&罗晋生.(2001).Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性.电子学报(8),1132-1134. |
MLA | 张万荣,et al."Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性".电子学报 .8(2001):1132-1134. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论