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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31
作者: 河西 秀典; 森本 泰司; 兼岩 進治; 林 寛; 宮内 伸幸
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3096419B2, 申请日期: 2000-08-04, 公开日期: 2000-10-10
作者: 須山 尚宏; ▲吉▼田 智彦; 細羽 弘之; 大林 健; 近藤 雅文
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3075512B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14
作者: 河西 秀典; 林 寛; 森本 泰司; 兼岩 進治; 山口 雅広
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2000138421A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
作者: 兼岩 進治
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3038186B2, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-05-08
作者: 河西 秀典; 林 寛; 森本 泰司; 兼岩 進治; 山口 雅広
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| 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP3034177B2, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-04-17
作者: 宮嵜 啓介; 兼岩 進治
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| 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP3025760B2, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-03-27
作者: 近藤 雅文; 細羽 弘之; 兼岩 進治; ▲吉▼田 智彦; 大林 健
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