| 半導体レーザ素子 | |
| 河西 秀典; 林 寛; 森本 泰司; 兼岩 進治; 山口 雅広 | |
| 2000-06-09 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP3075512B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 射端面の光吸収による温度上昇を防ぐことができ、高出力状態においても高い信頼性を有する半導体レーザ素子が得られる。 【解決手段】 端面部のチャネル幅を広げる。 |
| 公开日期 | 2000-08-14 |
| 申请日期 | 1987-12-29 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38699]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河西 秀典,林 寛,森本 泰司,等. 半導体レーザ素子. JP3075512B2. 2000-06-09. |
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